科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不斷推動著半導(dǎo)體的發(fā)展。自動化和計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價(jià)已降到十分低廉的程度。如果把現(xiàn)在國外超大規(guī)模集成電路硅片的價(jià)格換算成人民幣，則芯片上平均每50個(gè)晶體管的價(jià)格還不到一分錢。一臺微型電子計(jì)算機(jī)的售價(jià)，也只不過數(shù)百元人民幣。這樣就為電子計(jì)算機(jī)進(jìn)入千家萬戶鋪平了道路?，F(xiàn)在，家用電器已越來越多：電視機(jī)、錄音機(jī)、音響、洗衣機(jī)、電飯鍋、微波爐、電話等等，使我們的生活越來越現(xiàn)代化。

當(dāng)然，芯片給家庭帶來的變化還遠(yuǎn)不止于此，隨著電子化家庭的增多，一種新的生產(chǎn)生活方式－－家庭工業(yè)和家庭辦公室正在產(chǎn)生。將來，坐在家里操作機(jī)器、指揮生產(chǎn)、管理公司和工廠，將成為為期不遠(yuǎn)的現(xiàn)實(shí)。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo)；堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。

多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環(huán)境友好，在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng)，加工成SiHCl3 ，再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經(jīng)過分離后再循環(huán)利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門子法和硅烷法主要生產(chǎn)電子級晶體硅，也可以生產(chǎn)太陽能級多晶硅。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品，目前直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。