多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽能級(jí)。其中，用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽能級(jí)多晶硅占45%.

隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級(jí)多晶硅。

1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長(zhǎng)了17倍。專家預(yù)測(cè)太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過核電成為重要的基礎(chǔ)能源之一。

非晶硅太陽電板是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽能板，它與單晶硅和多晶硅太陽能板的制作方法完全不同，工藝過程大大簡(jiǎn)化，硅材料消耗很少，電耗更低，它的主要優(yōu)點(diǎn)是在弱光條件也能發(fā)電。但非晶硅太陽能板存在的主要問題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低，國(guó)際先進(jìn)水平為10%左右，且不夠穩(wěn)定，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，其轉(zhuǎn)換效率衰減。

由于太陽能板的輸出功率取決于太陽輻照度和太陽能板溫度等因素，因此太陽能板的測(cè)量在標(biāo)準(zhǔn)條件下（STC）進(jìn)行，標(biāo)準(zhǔn)條件定義為： 大氣質(zhì)量AM1.5， 光照強(qiáng)度1000W/m2，溫度25℃。

在該條件下，太陽能板所輸出的功率稱為峰值功率，在很多情況下，組件的峰值功率通常用太陽能模擬儀測(cè)定。影響太陽能板輸出性能的主要因素有以下幾點(diǎn)：

1）負(fù)載阻抗

2）日照強(qiáng)度

3）溫度

4）陰影

用戶太陽能電源

（1）小型電源10-100W不等，用于邊遠(yuǎn)無電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電，如照明，電視，收錄機(jī)等。太陽能發(fā)電系統(tǒng)

明、電視、收錄機(jī)等；（2）3-5KW家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)；（3）光伏水泵：解決無電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。