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硅片加工工藝過程 單晶硅回收

多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種：直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為的直徑。

切片：指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。

研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。

腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。

拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面，并要求表面無變質(zhì)層、無劃傷的加工工藝。

也許我們不會(huì)太在意這個(gè)問題。但是從實(shí)際狀況來看，以單晶硅或多晶硅為主要原料的太陽能電池板正越來越多地點(diǎn)綴于城市建筑的屋頂、墻壁，成為一座座所謂"清潔無污染"的太陽能電站。然而，在這種被稱為"綠色電站"的身后，卻"隱藏"著一系列高能耗、高污染的生產(chǎn)過程。不過隨著新技術(shù)的不斷應(yīng)用，這種狀況正在發(fā)生改變。例如投入1度電生產(chǎn)多晶硅，生產(chǎn)的太陽能光伏組件在25年內(nèi)可產(chǎn)生30至50度電，當(dāng)然隨著封裝及系統(tǒng)技術(shù)的進(jìn)步，實(shí)際使用壽命更長，所發(fā)電能也更高。光伏多晶硅采用封閉式循環(huán)工藝，幾乎做到零排放。即使作為第三代太陽能電池的染料敏化電池來說，雖然它吸引力在于廉價(jià)的原材料和簡(jiǎn)單的制作工藝。據(jù)科學(xué)家估算，它的成本僅相當(dāng)于硅電池板的1/10。但是此類電池的效率隨面積放大而降低。這一點(diǎn)又與太陽能發(fā)電需要充足的日照和廣域的面積相矛盾。當(dāng)然，目前普遍采用的電池篩選集成的方式能夠有效克服轉(zhuǎn)換效率隨面積放大而降低的問題。

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