業(yè)務(wù)范圍:

1、太陽(yáng)能組件回收：長(zhǎng)期回收拆卸組件、庫(kù)存組件、測(cè)試組件、降級(jí)組件、B級(jí)組件、客退組件、工程組件、層壓件等大小不限。

2、太陽(yáng)能板回收：?jiǎn)尉?yáng)能板回收，多晶太陽(yáng)能板回收

3、硅片回收：各類單晶硅片、多晶硅片、缺角片、拋光片、擴(kuò)散片、藍(lán)膜片、可劃片及碎片等。

4、電池片回收：各類單晶電池片、多晶電池片、崩邊缺角片、碎片等。

5、多晶硅回收：原生多晶、單多晶邊皮、頭尾料、復(fù)拉棒料、鍋底料、重?fù)搅?、多晶循環(huán)料（頂邊、側(cè)邊、底邊、條料等)

硅片加工工藝過(guò)程 單晶硅回收

多晶硅長(zhǎng)晶法即長(zhǎng)成單晶硅棒法有兩種：直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為的直徑。

切片：指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。

研磨：指通過(guò)研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。

腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。

拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面，并要求表面無(wú)變質(zhì)層、無(wú)劃傷的加工工藝。

太陽(yáng)能組件回收 太陽(yáng)能電池板的使用變得很普遍，這種設(shè)備在進(jìn)行使用前需要進(jìn)行測(cè)試，才能保證設(shè)備的良好功能得以發(fā)揮，測(cè)試的方法想必大家還不是特別的了解，下面這篇文章為大家詳解：

測(cè)試方法：

一、由于太陽(yáng)能電池板組件的輸出功率取決于太陽(yáng)輻照度和太陽(yáng)能電池溫度等因素，因此電池組件的測(cè)量在標(biāo)準(zhǔn)條件下（STC）進(jìn)行，標(biāo)準(zhǔn)條件定義為：大氣質(zhì)量AM1.5，光照強(qiáng)度1000W/m2，溫度25℃；

二、開(kāi)路電壓：用500W的鹵鎢燈，0～250V的交流變壓器，光強(qiáng)設(shè)定為3.8~4.0萬(wàn)LUX，燈與測(cè)試平臺(tái)的距離大約為15-20CM，直接測(cè)試值為開(kāi)路電壓；

三、在以上條件下，電池組件所輸出的功率稱為峰值功率，在很多情況下，組件的峰值功率通常用太陽(yáng)能模擬儀測(cè)定，按標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格進(jìn)行測(cè)定。

太陽(yáng)能電池板組件的測(cè)試方法是這種產(chǎn)品進(jìn)行使用前必須要了解的，只有設(shè)備測(cè)試調(diào)試好了，才能保證設(shè)備的良好運(yùn)行，才能避免以后的使用中出現(xiàn)設(shè)備的故障，希望文中講解的內(nèi)容對(duì)大家的操作使用有幫助。

上門回收太陽(yáng)能電池板

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合作項(xiàng)目:長(zhǎng)期采購(gòu)廢棄光伏組件、回收太陽(yáng)能電池片、多晶電池片回收、單晶電池片回收、蹦邊電池片回收、逆電流電池片回收、硅片回收、裸片回收、碎電池片回收、拋光片回收、原生多晶回收、鍋底料回收、頭尾料回收、多晶邊皮料回收、單晶邊皮料回收、IC藍(lán)膜片回收、

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