污垢主要對(duì)多晶硅影響因素
1、油脂：在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，油分子對(duì)多晶硅的危害十分嚴(yán)重。實(shí)際證明，整個(gè)工藝系統(tǒng)幾PPM的油含量就可能造成多晶硅反應(yīng)速度減慢，產(chǎn)量降低，甚至硅反應(yīng)停止。因此，多晶硅設(shè)備的脫脂工藝尤為重要。蘇州太陽(yáng)能硅片回收廠家
2、水分：水中含有大量的氯離子，氯離子對(duì)多晶硅的反應(yīng)十分敏感。設(shè)備及系統(tǒng)干燥工藝很關(guān)鍵。蘇州半導(dǎo)體硅片回收廠家
3、氯離子殘留：水和其他溶液在設(shè)備表面殘留的氯離子對(duì)多晶硅影響十分大。因此，在清洗后對(duì)設(shè)備進(jìn)行純水沖洗工藝十分重要。半導(dǎo)體硅片回收廠家
4、氧化物、灰塵其他雜質(zhì)：其他污垢的存在，對(duì)多晶硅的生產(chǎn)影響也很大。因此，在設(shè)備清洗過(guò)程中，采用酸洗工藝對(duì)其他污垢進(jìn)行清洗十分必要
材料回收可以節(jié)約能源，保護(hù)環(huán)境，防止地球上的過(guò)度消耗。
沒(méi)有回收，我們就會(huì)浪費(fèi)更多的動(dòng)力去生產(chǎn)其他行業(yè)無(wú)法替代的新產(chǎn)品。經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)的國(guó)家把材料回收和再應(yīng)用產(chǎn)業(yè)視為朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)。
隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，技能的提高和升級(jí)的減速，越來(lái)越多的商品將失去使用價(jià)值，成為廢品，進(jìn)入廢品回收再利用的階段。
因此，建立規(guī)范的廢舊商品回收市場(chǎng)，有效利用有用資源，妥善解決有害資源，防止環(huán)境污染的凈化是十分重要的。
太陽(yáng)能電池板的使用注意事項(xiàng)
常常用軟布察試組件外表。若確實(shí)替換(一般25年不需要替換)電池板組件，應(yīng)挑選同類型同類型的組件，不可以用手觸摸線纜接頭的部分，如確實(shí)需要請(qǐng)用設(shè)備(如絕緣手套等)。
在維修組件時(shí)請(qǐng)用不透明的物體或材料遮蓋住組件的外表，因?yàn)榻M件在強(qiáng)光照射下會(huì)產(chǎn)生高壓，很風(fēng)險(xiǎn)。組件的質(zhì)保期為3年，10年內(nèi)組件的功率衰減不會(huì)超越10%，20年內(nèi)不會(huì)超越20%。
不要把太陽(yáng)能電池組件安裝在樹木、建筑物等遮光的當(dāng)?shù)兀灰咏骰鸹蛟S易燃物周圍。裝配結(jié)構(gòu)應(yīng)能適應(yīng)環(huán)境要求，請(qǐng)?zhí)暨x適宜的材料和防腐蝕處理，要用結(jié)實(shí)可靠的方法來(lái)安裝組件，組件或從高空落下，會(huì)導(dǎo)致財(cái)務(wù)損毀。
組件不可拆解，曲折或許用硬物撞擊組件，避免對(duì)組件進(jìn)行踐踏等風(fēng)險(xiǎn)動(dòng)作。
要用繃簧墊片平和墊墊片降電池板組件固定鎖定在支架上，太陽(yáng)能發(fā)電板的安裝盡量向陽(yáng)30度角左右，依據(jù)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境和裝配支架結(jié)構(gòu)的狀態(tài)以恰當(dāng)?shù)姆绞綄㈦姵匕褰M件接線。
電池板組件應(yīng)正確的鏈接接線盒中的正負(fù)極，輸出電路要正確鏈接到設(shè)備上，不可以短接正負(fù)極，保證接頭與絕緣接頭之間沒(méi)有縫隙，若有縫隙會(huì)產(chǎn)生火花或電沖擊。
常常查看吊裝結(jié)構(gòu)是否脫落，若有必要擰緊各部件，查看各個(gè)部件，各個(gè)線材，底線及插頭的鏈接狀況。
隨著光伏發(fā)電的普及，安裝光伏電站時(shí)，許多粉絲朋友不僅在考慮節(jié)能，環(huán)保，而且以合理的價(jià)格要求苛刻的組件。發(fā)電需求也在不斷提高。就我們市場(chǎng)上的組件而言，大致有三種類型：?jiǎn)尉Ч杞M件，多晶硅組件和非晶硅組件(薄膜組件)。
1.單晶硅組件：在弱光(稱為太陽(yáng)光)的情況下，單晶硅組件會(huì)產(chǎn)生更好的功率，并且光電轉(zhuǎn)換效率，但制造成本高。目前市場(chǎng)是主流
2.多晶硅組件：多晶硅組件的制造過(guò)程與單晶硅組件的制造過(guò)程相似，但是轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)低于單晶硅組件。的優(yōu)點(diǎn)是制造成本比單晶便宜，并且性價(jià)比較高。 。
3.非晶硅成分(薄膜成分)：非晶硅成分的弱光發(fā)電較好，但轉(zhuǎn)換效率低且不夠穩(wěn)定。與單晶硅成分和多晶硅成分相比，基本上差了2-3代。