業(yè)務(wù)范圍:
1、太陽能組件回收:長期回收拆卸組件、庫存組件、測試組件、降級(jí)組件、B級(jí)組件、客退組件、工程組件、層壓件等大小不限。
2、太陽能板回收:單晶太陽能板回收,多晶太陽能板回收
3、硅片回收:各類單晶硅片、多晶硅片、缺角片、拋光片、擴(kuò)散片、藍(lán)膜片、可劃片及碎片等。
4、電池片回收:各類單晶電池片、多晶電池片、崩邊缺角片、碎片等。
5、多晶硅回收:原生多晶、單多晶邊皮、頭尾料、復(fù)拉棒料、鍋底料、重?fù)搅?、多晶循環(huán)料(頂邊、側(cè)邊、底邊、條料等)
硅片加工工藝過程 單晶硅回收
多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種:直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。
切斷:目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分,將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度,切取試片測量單晶硅棒的電阻率、含氧量。
外徑磨削:由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大,通過外徑滾磨可以獲得較為的直徑。
切片:指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。
倒角:指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形,防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。
研磨:指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度,達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。
腐蝕:指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后,晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層,通常采用化學(xué)腐蝕去除。
拋光:指單晶硅片表面需要改善微缺陷,從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面,并要求表面無變質(zhì)層、無劃傷的加工工藝。
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