在選擇太陽能電池組件時，每個人總是會選擇單晶或多晶??

事實上，單晶硅電池和多晶硅電池之間沒有太大差別。兩者之間的生活和穩(wěn)定非常好。如果你不得不說一些不同的東西，它應(yīng)該是制造過程中消耗的能量。與單晶硅相比，多晶硅消耗的能量減少約30%。因此，如果考慮環(huán)境問題，那么使用多晶硅太陽能電池將更加節(jié)能和環(huán)保。隨著光伏發(fā)電的普及，許多粉絲朋友不僅在安裝光伏電站時考慮節(jié)能，環(huán)保，而且還以合理的價格考慮苛刻的元件。發(fā)電需求也在不斷提高。就我們市場上的組件而言，大致有三種類型：單晶硅組件，多晶硅組件和非晶硅組件(薄膜組件)。

1.單晶硅組件：單晶硅組件在弱光(稱為太陽光)的情況下產(chǎn)生更好的功率，并且光電轉(zhuǎn)換效率，但制造成本大。它目前是市場的主流。

2.多晶硅組件：多晶硅組件的制造過程類似于單晶硅組件，但轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)低于單晶硅組件。的好處是制造成本比單晶便宜，并且成本性能相對較高。 。

3.非晶硅組分(薄膜組分)：非晶硅組分的弱光發(fā)電較好，但轉(zhuǎn)換效率低且不夠穩(wěn)定。與單晶硅組件和多晶硅組件相比，它基本上差2-3代。

硅片加工工藝過程 單晶硅回收

多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種：直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為的直徑。

切片：指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。

研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。

腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。

拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面，并要求表面無變質(zhì)層、無劃傷的加工工藝。

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