單晶硅太陽(yáng)能組件主要是以單硅晶料為主要原料，而這種新型太陽(yáng)能組件的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉(zhuǎn)換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見(jiàn)光。太陽(yáng)能組件的導(dǎo)電部分是由納米級(jí)二氧化鈦顆粒和幫助導(dǎo)電的電解質(zhì)，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽(yáng)能電池相比，這種新型太陽(yáng)能組件可以吸收直射陽(yáng)光以及漫射光源。然而，隨著單晶硅組件回收站的日益擴(kuò)大，對(duì)城市的美化起到了不可磨滅的作用。

多晶硅回收 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅一級(jí)料：能夠直接用作生產(chǎn)太陽(yáng)能光伏多晶硅錠、單晶硅棒的高純度多晶硅塊。上述產(chǎn)品型號(hào)的定義以中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 25074為準(zhǔn)。

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅二級(jí)料：在用于生產(chǎn)太陽(yáng)能光伏多晶硅錠、單晶硅棒時(shí)需要與高純度的多晶硅混合使用。上述產(chǎn)品型號(hào)的定義以中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 25074為準(zhǔn)。

受太陽(yáng)能需求急劇增長(zhǎng)的影響，生產(chǎn)硅片的原材料多晶硅價(jià)格幾年之間上漲了3倍，而預(yù)計(jì)今后幾年多晶硅的供應(yīng)缺口將維持在5000噸左右，多晶硅價(jià)格有望繼續(xù)上漲。

好組件回收將有可能引發(fā)我國(guó)硅片生產(chǎn)行業(yè)新一輪洗牌，尋找國(guó)際技術(shù)合作伙伴將是途徑之一。

好組件回收為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開(kāi)路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。

碎硅片回收切割常見(jiàn)問(wèn)題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過(guò)程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過(guò)程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

在整個(gè)切割過(guò)程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。