碎硅片回收切割常見問題

1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產(chǎn)生相關線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結塊引起。切割過程中，SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。

在整個切割過程中，對硅片的質量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時候容易出現(xiàn)。

太陽能電池拆卸組件收回 太陽能術語說明（中英對照）

光伏矩陣或發(fā)電板陣 (Array - photovoltaic)

太陽能發(fā)電板串聯(lián)或并聯(lián)聯(lián)接在一同構成矩陣.

阻流二極管 (Blocking Diode)

用來防止反向電流, 在發(fā)電板陣中, 阻流二極管用來防止電流流向一個或數(shù)個失效或有遮影的發(fā)電板 (或一連串的太陽能發(fā)電板) 上. 在夜間或低電流出的期間, 防止電流從蓄電池流向光伏發(fā)電板矩陣."

光伏發(fā)電系統(tǒng)平衡 (BOS or Balance of System - photovoltaic)

光伏發(fā)電系統(tǒng)除發(fā)電板矩陣以外的部分. 例如開關, 控制外表, 電力溫控設備, 矩陣的支撐結構, 儲電組件等等.

回收組件是一對光有響應并能將光能轉換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應的材料有許多種，如：單晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體為例描述光發(fā)電過程。P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P－N結。

當光線照射回收組件表面時，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了躍遷，成為自由電子在P-N結兩側集聚形成了電位差，當外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個過程的的實質是：光子能量轉換成電能的過程。

目前國際和國內對于回收組件回收有多種可行的技術路線，但是由于現(xiàn)階段國內回收組件的回收規(guī)模較小，也沒有形成相應的產(chǎn)業(yè)鏈。

有需要太陽能光伏組件回收的可以速度與本公司聯(lián)系。

單晶硅太陽能組件主要是以單硅晶料為主要原料，而這種新型太陽能組件的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見光。太陽能組件的導電部分是由納米級二氧化鈦顆粒和幫助導電的電解質，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽能電池相比，這種新型太陽能組件可以吸收直射陽光以及漫射光源。然而，隨著單晶硅組件回收站的日益擴大，對城市的美化起到了不可磨滅的作用。