依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等,對硅單晶片化學(xué)機械拋光(CMP)機理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明,化學(xué)機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng),它存在著兩個動力學(xué)過程。
多晶金剛石拋光液
多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分,配合高分散性配方,可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。
主要應(yīng)用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。
氧化硅拋光液
氧化硅拋光液(CMP拋光液)是以高純硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。
廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光,如:硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦,精密光學(xué)器件、藍寶石片等的拋光加工。
半導(dǎo)體行業(yè)
CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展,對拋光技術(shù)提出了新的要求,傳統(tǒng)的拋光技術(shù)(如:基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術(shù),不能做到全局平面化,而化學(xué)機械拋光技術(shù)解決了這個問題,它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。