CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

氧化鋁和碳化硅拋光液

是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。

主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤(pán)基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

產(chǎn)品類(lèi)型

硅材料

拋光液

藍(lán)寶石

拋光液

砷化鎵

拋光液

鈮酸鋰

拋光液

鍺拋光液

集成電路多次銅布線(xiàn)拋光液

集成電路阻擋層拋光液

多晶金剛石研磨液是利用多晶金剛石良好的韌性制成的研磨液，在研磨拋光過(guò)程中能夠保持高磨削力的同時(shí)不易產(chǎn)生劃傷，為后續(xù)精密拋光加工提供了良好的條件。廣泛用于光學(xué)晶體、陶瓷、超硬合金等各種硬質(zhì)材料的研磨和拋光。 [1]