多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時(shí)不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動力學(xué)過程。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機(jī)，滾桶式研磨光式機(jī)進(jìn)行拋光。 1、拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機(jī)的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進(jìn)行適當(dāng)配置）； 2、拋光時(shí)間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定； 3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。