這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

硅片的化學(xué)機械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。