氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

封釉：封釉的基本原理是依靠震拋技術(shù)將釉劑反復(fù)深壓進(jìn)車漆紋理中，形成一種特殊的網(wǎng)狀保護(hù)膜，從而提高原車漆面的光澤度、硬度。

釉與車漆緊密結(jié)合在一起，但是由于釉是有石油制備而來，比較容易氧化，所以會(huì)導(dǎo)致車漆與釉共同氧化的問題。

二氧化硅，化學(xué)術(shù)語(yǔ)，純的二氧化硅無色，常溫下為固體，化學(xué)式為SiO?，不溶于水。不溶于酸，但溶于氫氟酸及熱濃磷酸，能和熔融堿類起作用。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無定形二氧化硅兩種。二氧化硅用途很廣泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、氣凝膠氈、硅鐵、型砂、單質(zhì)硅、水泥等，在古代，二氧化硅也用來制作瓷器的釉面和胎體。一般的石頭主要由二氧化硅、碳酸鈣構(gòu)成。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達(dá)到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達(dá)到良好的拋光效果

一些制樣技術(shù)對(duì)金剛石拋光劑的要求更高, 并且對(duì)一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對(duì)試樣的要求高意味對(duì)研磨劑要進(jìn)行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個(gè)可接受的試樣，使用價(jià)格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時(shí)選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時(shí)間和成本都必須綜合起來考慮。

金剛石晶粒大小的分布與各晶粒大小之間的差距應(yīng)盡可能的小，這是非常重要的。 因?yàn)槿绻趻伖鈩┲写嬖趩蝹€(gè)的金剛石大晶粒，那么試樣表面由它們形成的劃痕將無法在后道工序中消除。 反之，晶粒太小又不利于試樣的磨削。因此，控制粒度分布在金剛石產(chǎn)品的生產(chǎn)中是非常重要的。