地坪拋光液是固化地坪塑造高光效果的關鍵，該材料常用于項目的收尾階段，均勻噴灑于地坪表面，再進行高速拋光即可打造出良好的光感。為了讓大家更好地了解地坪拋光液這款產品，下文來介紹一下它的主要成分，詳情如下。 地坪拋光液的簡單介紹 地坪拋光液也叫「混凝土拋光液」，可用于提升多種水泥基地面的光澤度和亮度。地坪拋光液使用方便且快捷，噴灑于固化地坪表面，配合上專業(yè)拋光墊進行高速拋光，即可改善白斑、花斑及色差等地面問題，使得地坪表面光澤度一致，達到光亮如鏡的效果。

半導體行業(yè) CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。

CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。

硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。