單晶硅片目前的厚度普遍爲(wèi)186微米或許192微米；而多晶硅片的厚度普遍爲(wèi)200微米，金剛線切割以后有利于薄片化，所以1kg準(zhǔn)方錠金剛線的出片量目前爲(wèi)65片（隆基股份明年導(dǎo)入50微米線以后會(huì)更進(jìn)一步提升至70張），而多晶爲(wèi)59片（出片量數(shù)據(jù)均包括B片）。

由于單晶的“長晶”本錢更高，因此更細(xì)的金剛線帶來的出片量的提升清楚更有利于單晶硅片的本錢降低，所以我們?nèi)缃窨吹降木褪牵簡尉髽I(yè)普遍愈加積極的運(yùn)用60微米的金剛線，甚至在積極爲(wèi)明年導(dǎo)入50微米的金剛線做預(yù)備，而多晶硅片企業(yè)當(dāng)前則普遍滿足于70微米線，這面前就是和長晶本錢的不同有關(guān)。

單多晶硅片回收后在電池制絨的進(jìn)程中的工藝會(huì)使得硅片表面構(gòu)成類似金字塔的結(jié)構(gòu)從而十分有利于光線的吸收，所以單晶金剛切硅片完全不影響單晶電池的制絨的全進(jìn)程。單晶電池的堿法制絨工藝可以非常有效的降低硅片的反射率，所以無需疊加任何工藝直接進(jìn)入電池制絨環(huán)節(jié)。

而關(guān)于多晶硅片，酸制絨工藝并不有利于降低硅片反射度，所以關(guān)于金剛線切割消費(fèi)的多晶硅片需求額外疊加“黑硅或許添加劑”技術(shù)。添加劑技術(shù)無需添加新的設(shè)備，只需添加一道工藝，今年金剛線切割多晶硅片之所以能失掉大范圍的普及主要有賴于添加劑技術(shù)的成熟運(yùn)用，但在轉(zhuǎn)換效率上略有下降。根據(jù)弘寧新動(dòng)力技術(shù)人員引見，經(jīng)過不時(shí)優(yōu)化以后，可保證運(yùn)用添加劑的單多晶硅片回收轉(zhuǎn)換效率不降低，72片標(biāo)準(zhǔn)組件的功率可以做到300W。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價(jià)值也就越高。

(2)多晶硅太陽電池板

在制造多晶硅太陽能電池板時(shí)，作為原材料的高純硅不是被拉成單一產(chǎn)品，而是后來被澆鑄成正方龍日晶硅錠的不同取向，然后用切割機(jī)切割成薄片，再加工成電池。因?yàn)楣杵怯蓭讉€(gè)不同大小和取向的晶粒組成的。

因此，多晶硅太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率低于單晶硅太陽能電池板。大規(guī)模生產(chǎn)的商用多晶硅太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率高達(dá)16%-19%。

由于其制造成本低，近年來發(fā)展迅速，已成為太陽能電池的產(chǎn)量和市場份額。