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多晶硅硅料回收后的清洗方法，將多晶硅硅料置于混合酸液中進(jìn)行避光浸泡1分鐘～10分鐘，混合酸液溫度為30℃～35℃，后撈取，用純水沖洗，再經(jīng)超聲沖洗、壓縮空氣鼓泡后烘干；混合酸液為腐蝕液，配比為硝酸∶氫氟酸∶冰乙酸的溶液體積比為57∶18∶25；硝酸濃度為68％～72％，氫氟酸濃度為38％～41％，冰乙酸濃度為99.8％～99.9％；純度等級為MOS級或UP級。將多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氫氟酸液中進(jìn)行避光預(yù)浸泡，也可以先在溶解光阻的溶劑中進(jìn)行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光潔，無酸漬、水漬，其優(yōu)點(diǎn)為清洗效果好，清洗成本低，操作難度低，易于控制清洗質(zhì)量，提高了清洗收率。

單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

用途： 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等

熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價值也就越高。

硅片，簡單來講就是用硅制成的片，所以叫硅片，它主要是用在晶體硅光伏電池中，它質(zhì)量方面的要求是很高的，表面不能有損傷等缺陷，比如彎曲、凹凸或者厚度不均勻等。并且硅在切割過程中，要注意切割方式和方法，盡量減少硅原料的消耗量。

硅片回收，就是對硅片進(jìn)行回收，以便進(jìn)行硅的二次利用，從而避免其污染環(huán)境，并能夠提高硅的利用率。

硅片回收及加工過程，包括了很多步驟，但總的要求是：

(1)能夠修正一些物理性能，包括尺寸、形狀、平整度等方面；

(2)避免出現(xiàn)表面損傷，消除表面的臟污或者顆粒。

它的工序，主要有：

切片：就是將硅棒切成薄硅片，具有一定的幾何尺寸。

退火：讓硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，通過氧化爐，使其表面形成二氧化硅保護(hù)層。

倒角：硅片進(jìn)行修整，修整成圓弧形，避免產(chǎn)生缺陷，增加其平坦度。