多晶硅硅料回收后的清洗方法，將多晶硅硅料置于混合酸液中進(jìn)行避光浸泡1分鐘～10分鐘，混合酸液溫度為30℃～35℃，后撈取，用純水沖洗，再經(jīng)超聲沖洗、壓縮空氣鼓泡后烘干；混合酸液為腐蝕液，配比為硝酸∶氫氟酸∶冰乙酸的溶液體積比為57∶18∶25；硝酸濃度為68％～72％，氫氟酸濃度為38％～41％，冰乙酸濃度為99.8％～99.9％；純度等級(jí)為MOS級(jí)或UP級(jí)。將多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氫氟酸液中進(jìn)行避光預(yù)浸泡，也可以先在溶解光阻的溶劑中進(jìn)行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光潔，無(wú)酸漬、水漬，其優(yōu)點(diǎn)為清洗效果好，清洗成本低，操作難度低，易于控制清洗質(zhì)量，提高了清洗收率。
從各企業(yè)生產(chǎn)情況看，目前全國(guó)在產(chǎn)多晶硅企業(yè)14家，江蘇中能及新特能源仍維持超負(fù)荷運(yùn)行，江蘇中能6.8萬(wàn)噸/年改良西門子法超載運(yùn)行，年產(chǎn)量達(dá)7.2萬(wàn)噸左右，正常狀態(tài)下每月產(chǎn)量在6100-6200噸（按31天算）。特變電工進(jìn)入2016年開(kāi)始，每月維持在2200噸左右的超負(fù)荷生產(chǎn)，產(chǎn)量仍居國(guó)內(nèi)第二位。洛陽(yáng)中硅在2015年8月份技改結(jié)束后，產(chǎn)量從9月份開(kāi)始增加到千噸以上，仍位居國(guó)內(nèi)第三。國(guó)內(nèi)其他企業(yè)月產(chǎn)量在千噸以上的有：新疆大全、四川永祥、亞洲硅業(yè)，這三家企業(yè)在1-2月份期間除四川永祥因電網(wǎng)線路問(wèn)題影響產(chǎn)量外，其他均正常生產(chǎn)。多晶硅回收找伍征，其余月產(chǎn)量在千噸以下的企業(yè)也有部分在檢修技改，以期在未來(lái)淘汰整合過(guò)程中贏得先機(jī)。
單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。
用途： 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等
熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法伸長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法伸長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場(chǎng)前景，價(jià)值也就越高。
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