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金屬硅（1提純）→高純多晶硅—（2摻雜鑄造或拉晶）→多晶硅錠/錠—（3切片）→硅片—（4制絨、擴(kuò)散、印刷）→電池片—（5層壓、封裝）→電池組件—（6配套連接、安裝）→光伏發(fā)電系統(tǒng)。
其中，提純的環(huán)節(jié)是技術(shù)難度的環(huán)節(jié)。有冶金法和化學(xué)法兩種方式。
后段工序?qū)υO(shè)備要求較高
硅料包含單晶硅和多晶硅等，單晶硅有;單晶邊皮、頭尾、棒、鍋底料等，多晶硅有：原生多晶硅、多晶邊皮、多晶方錠等。昆山伍征專(zhuān)業(yè)回收各種硅料。
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅回收。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅回收。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上純凈的物質(zhì)了，一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個(gè)9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個(gè)9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個(gè)9 的單晶硅。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。 高純度硅在石英中提取，以單晶硅為例，提煉要經(jīng)過(guò)以下過(guò)程:石英砂一冶金級(jí)硅一提純和精煉一沉積多晶硅錠一單晶硅一硅片切割。 冶金級(jí)硅的提煉并不難。它的制備主要是在電弧爐中用碳還原石英砂而成。這樣被還原出來(lái)的硅的純度約98-99%，但半導(dǎo)體工業(yè)用硅還必須進(jìn)行高度提純(電子級(jí)多晶硅純度要求11個(gè)9，太陽(yáng)能電池級(jí)只要求6個(gè)9)。而在提純過(guò)程中，有一項(xiàng)“三氯氫硅還原法(西門(mén)子法)”的關(guān)鍵技術(shù)我國(guó)還沒(méi)有掌握，由于沒(méi)有這項(xiàng)技術(shù)，我國(guó)在提煉過(guò)程中70%以上的多晶硅都通過(guò)氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環(huán)境污染非常嚴(yán)重。我國(guó)每年都從石英石中提取大量的工業(yè)硅，以1美元/公斤的價(jià)格出口到德國(guó)、美國(guó)和日本等國(guó)，而這些國(guó)家把工業(yè)硅加工成高純度的晶體硅材料，以46-80美元/公斤的價(jià)格賣(mài)給我國(guó)的太陽(yáng)能企業(yè)。
對(duì)硅片行業(yè)稍微有些了解的人都應(yīng)該知道，廢硅片回收之后是必須要清洗的，而且我們還要對(duì)清洗過(guò)程給予必要的重視，不能馬馬虎虎，因?yàn)楣杵厥涨逑吹男蕦⒅苯佑绊懙狡骷某善仿省⑿阅芎涂煽啃?。下面我們就?lái)了解一下費(fèi)硅片回收清洗的重要性。
現(xiàn)在人們已研制出了很多種可用于廢硅片回收清洗的工藝方法和技術(shù)，常見(jiàn)的有：濕法化學(xué)清 洗、超聲清洗法、兆聲清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高壓噴射法、離心噴射法、流體力學(xué)法、流體動(dòng)力學(xué)法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝噴霧技 術(shù)、氣相清洗、非浸潤(rùn)液體噴射法、廢硅片回收在線(xiàn)真空清洗技術(shù)、RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗、等離子體清洗、原位水沖洗法等。這些方法和技術(shù)現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于廢硅片回收 加工和器件制造中的廢硅片回收清洗。
表面沾污指硅表面上沉積有粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化物等的一種或幾種。超純表面定義為沒(méi)有沾污的表面, 或者是超出檢測(cè)量極限的表面。