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多晶硅硅料回收后的清洗方法，將多晶硅硅料置于混合酸液中進行避光浸泡1分鐘～10分鐘，混合酸液溫度為30℃～35℃，后撈取，用純水沖洗，再經(jīng)超聲沖洗、壓縮空氣鼓泡后烘干；混合酸液為腐蝕液，配比為硝酸∶氫氟酸∶冰乙酸的溶液體積比為57∶18∶25；硝酸濃度為68％～72％，氫氟酸濃度為38％～41％，冰乙酸濃度為99.8％～99.9％；純度等級為MOS級或UP級。將多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氫氟酸液中進行避光預浸泡，也可以先在溶解光阻的溶劑中進行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光潔，無酸漬、水漬，其優(yōu)點為清洗效果好，清洗成本低，操作難度低，易于控制清洗質(zhì)量，提高了清洗收率。

硅片如何利用的呢？具體流程介紹如下：切片：將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣都可以利用。退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)的材料，使硅片技術(shù)表面形成二氧化硅再次生產(chǎn)。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅片廢水和硅渣。硅片再利用一直秉承“變廢為寶、凈化環(huán)境”的理念，融合專業(yè)的服務(wù)體系和先進的再加工技術(shù)，為國家的環(huán)保事業(yè)，做出著應(yīng)有的貢獻。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵，還要受到機械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動，瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低，爭取實現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當?shù)拇?。因此實現(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。