單晶硅片目前的厚度普遍爲(wèi)186微米或許192微米；而多晶硅片的厚度普遍爲(wèi)200微米，金剛線切割以后有利于薄片化，所以1kg準(zhǔn)方錠金剛線的出片量目前爲(wèi)65片（隆基股份明年導(dǎo)入50微米線以后會(huì)更進(jìn)一步提升至70張），而多晶爲(wèi)59片（出片量數(shù)據(jù)均包括B片）。

由于單晶的“長晶”本錢更高，因此更細(xì)的金剛線帶來的出片量的提升清楚更有利于單晶硅片的本錢降低，所以我們?nèi)缃窨吹降木褪牵簡尉髽I(yè)普遍愈加積極的運(yùn)用60微米的金剛線，甚至在積極爲(wèi)明年導(dǎo)入50微米的金剛線做預(yù)備，而多晶硅片企業(yè)當(dāng)前則普遍滿足于70微米線，這面前就是和長晶本錢的不同有關(guān)。

單多晶硅片回收后在電池制絨的進(jìn)程中的工藝會(huì)使得硅片表面構(gòu)成類似金字塔的結(jié)構(gòu)從而十分有利于光線的吸收，所以單晶金剛切硅片完全不影響單晶電池的制絨的全進(jìn)程。單晶電池的堿法制絨工藝可以非常有效的降低硅片的反射率，所以無需疊加任何工藝直接進(jìn)入電池制絨環(huán)節(jié)。

而關(guān)于多晶硅片，酸制絨工藝并不有利于降低硅片反射度，所以關(guān)于金剛線切割消費(fèi)的多晶硅片需求額外疊加“黑硅或許添加劑”技術(shù)。添加劑技術(shù)無需添加新的設(shè)備，只需添加一道工藝，今年金剛線切割多晶硅片之所以能失掉大范圍的普及主要有賴于添加劑技術(shù)的成熟運(yùn)用，但在轉(zhuǎn)換效率上略有下降。根據(jù)弘寧新動(dòng)力技術(shù)人員引見，經(jīng)過不時(shí)優(yōu)化以后，可保證運(yùn)用添加劑的單多晶硅片回收轉(zhuǎn)換效率不降低，72片標(biāo)準(zhǔn)組件的功率可以做到300W。

我們的生活中處處可見"硅"的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化快的。

單晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。

用途:單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不及金屬，且隨著溫度升高而增加，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成P型半導(dǎo)體，摻入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋?

單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。

單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。

單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

用途： 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等

熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速增長的趨勢(shì)。