單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

它的工序，主要有：

切片：就是將硅棒切成薄硅片，具有一定的幾何尺寸。

退火：讓硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，通過氧化爐，使其表面形成二氧化硅保護(hù)層。

倒角：硅片進(jìn)行修整，修整成圓弧形，避免產(chǎn)生缺陷，增加其平坦度。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵(lì)，還要受到機(jī)械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動(dòng)，瞬間性的沖擊就會(huì)作用在切割的硅片上。