單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

這樣的光伏市場格局下，電學(xué)性能更好、單晶電池效率更高的單晶組件一直在追趕多晶的市場主導(dǎo)地位，并于2015年取得一定突破，但兩者之間還存在差距。

多晶、單晶的組件成本差別主要來自于硅片的成本差別。雖然單晶電池轉(zhuǎn)換效率較高，主流產(chǎn)品可達(dá)到19.5%，但因為單晶硅片的價格也更高，綜合來看，仍然是多晶硅片更具性價比優(yōu)勢。

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