區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵，還要受到機械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動，瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。

為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低，爭取實現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當?shù)拇?。因此實現(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

這樣的光伏市場格局下，電學性能更好、單晶電池效率更高的單晶組件一直在追趕多晶的市場主導地位，并于2015年取得一定突破，但兩者之間還存在差距。