單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價值也就越高。

清潔、持續(xù)可利用的能源的研究已經(jīng)引起了大家的重視。那么太陽能作為一種取之不盡、用之不竭的新型清潔能源，它的開發(fā)與利用也已經(jīng)引起全人類的廣泛關(guān)注。太陽能電池作為太陽能的可利用形式之一，正在投入到大量的開發(fā)研究之中。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵，還要受到機(jī)械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動，瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。