單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。

單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進(jìn)一步降低，爭取實(shí)現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當(dāng)?shù)拇?。因此?shí)現(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

本公司長期高價(jià)回收硅片，太陽能電池片、多晶電池片回收、單晶電池片回收、碎硅片回收、廢硅片回收、多晶硅回收、單晶硅回收、硅片回收、裸片回收、碎電池片回收、拋光片回收、原生多晶回收、鍋底料回收、頭尾料回收、多晶邊皮料回收、單晶邊皮料回收、IC藍(lán)膜片回收、IC小方片回收、銀漿布回收、銀漿回收、銀擦布回收、擦銀布回收、銀回收等產(chǎn)品。