區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價值也就越高。

伴隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷提升與完善，雖然硅片制造成本在不斷降低，但是作為中心材質(zhì)的太陽能電池所用硅片的切割成本一直居高不下，甚至可以占到太陽能總制造成本的30%。

在市場的選擇中，成本是重要因素。多晶產(chǎn)品投資成本更低，因此更易獲得投資者的青睞。據(jù)了解，目前國內(nèi)光伏電站建設(shè)成本在6.5～9.5元/Wp，其中組件成本占比超過50%，單、多晶產(chǎn)品的價格差對終投資額的影響。