單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。

為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進(jìn)一步降低，爭取實(shí)現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當(dāng)?shù)拇?。因此?shí)現(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

多晶硅產(chǎn)品陣營內(nèi)部，多晶主打性價比，單晶主打，形成了差異化的產(chǎn)品層次，其中單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率更高、電學(xué)性能更優(yōu)，被認(rèn)為市場前景巨大。然而，根據(jù)市場占有率來看，多晶連續(xù)多年成為晶硅產(chǎn)品的主流。數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2009年至今，多晶產(chǎn)品應(yīng)用連年上升，至2015年已達(dá)76%的市占率高點(diǎn)。

將單晶硅棒切成片，一般片厚約0.3毫米。硅片經(jīng)過拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太陽能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫擴(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就硅片上形成P>N結(jié)。