單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。

為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低，爭取實現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當?shù)拇蟆Ｒ虼藢崿F(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產效率的提高及生產成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

多晶硅產品陣營內部，多晶主打性價比，單晶主打，形成了差異化的產品層次，其中單晶產品轉換效率更高、電學性能更優(yōu)，被認為市場前景巨大。然而，根據(jù)市場占有率來看，多晶連續(xù)多年成為晶硅產品的主流。數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2009年至今，多晶產品應用連年上升，至2015年已達76%的市占率高點。

這樣的光伏市場格局下，電學性能更好、單晶電池效率更高的單晶組件一直在追趕多晶的市場主導地位，并于2015年取得一定突破，但兩者之間還存在差距。