單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。

目前硅片的生產已經采用多線鋸切割方法，可以生產出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵，還要受到機械結構的影響，就不可避免的在切割過程中產生變形與振動，瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。

為了避免此現象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低，爭取實現低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當的大。因此實現太陽能晶硅電池行業(yè)生產效率的提高及生產成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

本公司長期高價回收硅片，太陽能電池片、多晶電池片回收、單晶電池片回收、碎硅片回收、廢硅片回收、多晶硅回收、單晶硅回收、硅片回收、裸片回收、碎電池片回收、拋光片回收、原生多晶回收、鍋底料回收、頭尾料回收、多晶邊皮料回收、單晶邊皮料回收、IC藍膜片回收、IC小方片回收、銀漿布回收、銀漿回收、銀擦布回收、擦銀布回收、銀回收等產品。