單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。

單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

商業(yè)化太陽能電池就是清潔能源的一種，采用的是的晶硅，其中的單晶和多晶硅電池的特點(diǎn)就是光電轉(zhuǎn)換的效率比較高，使用的壽命較長，穩(wěn)定性比較好，當(dāng)然成本也是較高的。

伴隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷提升與完善，雖然硅片制造成本在不斷降低，但是作為中心材質(zhì)的太陽能電池所用硅片的切割成本一直居高不下，甚至可以占到太陽能總制造成本的30%。