多晶硅薄膜與非晶硅一樣，具有低成本、大面積和制備簡單的優(yōu)勢。它的襯底便宜，硅材料用量少，而且沒有光衰減問題，結合了晶體硅和非晶硅材料的優(yōu)點，但是，由于晶粒較小等原因，其太陽能光電轉換效率依然較低，到現(xiàn)在為止，尚未有大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。多晶硅薄膜主要分為兩類：一類是晶粒較大，完全由多晶硅顆粒組成；另一類是由部分晶化、晶粒細小的多晶硅鑲嵌在非晶硅中組成。

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硅料回收中半導體硅材料(semiconductor silicon)是主要的元素半導體材料，包括硅多晶、硅單晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或間接用于制備半導體器件。

結晶態(tài)硅材料的制備方法通常是先將硅石(SiO2)在電爐中高溫還原為冶金級硅(純度95%～99%)，然后將其變?yōu)楣璧柠u化物或氫化物，經(jīng)提純，以制備純度很高的硅多晶。包括硅多晶的西門子法制備、硅多晶的硅烷法制備。在制造大多數(shù)半導體器件時，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅單晶。通常用直拉法或區(qū)熔法由硅多晶制得硅單晶。