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常溫下硅表面覆蓋一層極薄氧化層，化學(xué)性質(zhì)不活潑。高溫下與氧反應(yīng)生成無定形二氧化硅層，在器件工藝中常用半作掩蔽層和隔離層。硅不溶于酸，但溶于HNO3。和HF的混合溶液中，常用這種溶液作腐蝕液。硅稍溶于加溫的堿溶液中，還可采用等離子腐蝕技術(shù)來腐蝕硅。

硅有結(jié)晶態(tài)和非晶。常溫下硅單晶介電系數(shù)11.7，對光具有高的折射率(n=3.42)，反射損失較大，涂以適當(dāng)減反射膜可大大提高透過率。硅中的雜質(zhì)會引起光的吸收，氧和碳的吸收帶在室溫下分別位于1107和607cm-1處。

結(jié)晶態(tài)硅材料的制備方法通常是先將硅石(SiO2)在電爐中高溫還原為冶金級硅(純度95%～99%)，然后將其變?yōu)楣璧柠u化物或氫化物，經(jīng)提純，以制備純度很高的硅多晶。包括硅多晶的西門子法制備、硅多晶的硅烷法制備。在制造大多數(shù)半導(dǎo)體器件時，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅單晶。通常用直拉法或區(qū)熔法由硅多晶制得硅單晶。