多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但鑒別須通過分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。

為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。

對(duì)硅片行業(yè)稍微有些了解的人都應(yīng)該知道，廢硅片回收之后是必須要清洗的，而且我們還要對(duì)清洗過程給予必要的重視，不能馬馬虎虎，因?yàn)楣杵厥涨逑吹男蕦⒅苯佑绊懙狡骷某善仿?、性能和可靠性?/p>

硅有結(jié)晶態(tài)和非晶。常溫下硅單晶介電系數(shù)11.7，對(duì)光具有高的折射率(n=3.42)，反射損失較大，涂以適當(dāng)減反射膜可大大提高透過率。硅中的雜質(zhì)會(huì)引起光的吸收，氧和碳的吸收帶在室溫下分別位于1107和607cm-1處。