回收硅片的清潔，特別是硅廢料的清潔方法，其從廢硅中去除表面污垢，一般包括以下步驟。我希望你能認(rèn)真地看一看。

1。硅材料浸在堿溶液中。

2。當(dāng)堿性溶液中的硅材料上浮時(shí)，回收硅片被撈出，用純水沖洗并排出。

3。浸泡在第二種堿溶液中。

4。當(dāng)堿性溶液中的硅材料上浮時(shí)，硅材料被撈出，用純水沖洗并排出。

5。浸泡在鹽酸和過氧化氫的混合物中，用壓縮空氣吹泡泡。

6。將浸泡在中和液中的硅材料放入純水中浸泡，打撈干燥。

雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。硅錠雜質(zhì)除會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會(huì)導(dǎo)致切片過程中出現(xiàn)"切不動(dòng)"現(xiàn)象。如未及時(shí)發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失。

密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時(shí)間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對(duì)性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺(tái)內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時(shí)用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題。

隨著我們生產(chǎn)能的增加，我們對(duì)硅片回收價(jià)格也有著自己的理解和看法。如果說價(jià)格比較低的話那自然對(duì)我們的回收質(zhì)量就不能很好的保證了。但是我們?cè)谏a(chǎn)的時(shí)候也注意避免浪費(fèi)的情況出現(xiàn)。有時(shí)候我們還需要對(duì)硅片進(jìn)行浸泡，這樣它的使用效果可能會(huì)比較好。另外如果說我們的作業(yè)哪里出現(xiàn)了什么問題也應(yīng)該要及時(shí)的進(jìn)行處理和維護(hù)這是不能少的，但是總體的大概結(jié)構(gòu)是不會(huì)發(fā)生改變。