密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題。

太陽能電池板的反向設(shè)計(jì)應(yīng)標(biāo)有技術(shù)參數(shù)，例如：開路輸出電壓，短路故障電流，工作電壓等。然后，這取決于太陽能電池板反面的承壓效果。太陽能板。如果在加壓后有很多氣泡，皺紋和其他痕跡，則將這種顯影太陽能電池板歸類為不合格。

非晶硅太陽能電池 非晶硅太陽電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池，它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同，工藝過程大大簡化，硅材料消耗很少，電耗更低，它的主要優(yōu)點(diǎn)是在弱光條件也能發(fā)電。

單晶硅用于太陽能電池?zé)o疑轉(zhuǎn)換效率是的，在大規(guī)模應(yīng)用和工生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但是受到單晶硅材料價格及相應(yīng)繁瑣的電池工藝影響，致使單晶硅成本價格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困難的，為了節(jié)省高質(zhì)量材料，尋找單晶硅電池的替代品具有很大的前景。