密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因為砂漿切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因為切片機臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因為多晶硅錠硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機內(nèi)引流桿問題。

何為降級組件？

簡單來講，降級組件是因為外觀、性能等有瑕疵而不滿足正常產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，這些組件在出廠時峰值功率可以保證，但是組件不同負(fù)荷下的一致性、衰減的穩(wěn)定性及對于溫度敏感性等得不到保證。

光伏電站系統(tǒng)使用降級組件，短期內(nèi)發(fā)電量不受影響，但隨著時間的推移，光伏組件的發(fā)電量衰減或許會相當(dāng)可怕，與A級優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品相比，B級、C級降級組件可減少10%-20%的發(fā)電量，大幅降低投資者收益。

目前，各組件生產(chǎn)商每條生產(chǎn)線A級組件的成品率都無法達(dá)到，會有0.5%左右的降級組件幾率，這些組件一般做降價出售，或者采取返工生產(chǎn)等方式來處理，這也是降級組件回收行業(yè)“興起”的根源。

多晶硅太陽能電池 多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，但是多晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少，其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右 。

從制作成本上來講，比單晶硅太陽能電池要便宜一些，材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。

此外，多晶硅太陽能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽能電池短。從性能價格比來講，單晶硅太陽能電池還略好。