密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時(shí)間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時(shí)用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題。

硅片制成的芯片是有名的神算子，有著驚人的運(yùn)算才能。無論多么雜亂的數(shù)學(xué)疑問、物理疑問和工程疑問，也無論核算的工作量有多大，工作人員只需經(jīng)過核算機(jī)鍵盤把疑問通知它，并下達(dá)解題的思路和指令，核算機(jī)就能在極短的時(shí)間內(nèi)把答案通知你。

硅單晶制備，需要實(shí)現(xiàn)從多晶到單晶的轉(zhuǎn)變，即原子由液相的隨機(jī)排列直接轉(zhuǎn)變?yōu)橛行蜿嚵?，由不對稱結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閷ΨQ結(jié)構(gòu)。這種轉(zhuǎn)變不是整體效應(yīng)，而是通過固液界面的移動(dòng)逐漸完成的，為實(shí)現(xiàn)上述轉(zhuǎn)化過程，多晶硅就要經(jīng)過固態(tài)硅到熔融態(tài)硅，再到固態(tài)晶體硅的轉(zhuǎn)變，這就是從熔融硅中生長單晶硅所要遵循的途徑。目前應(yīng)用廣泛的有兩種，坩堝直拉法和無坩堝懸浮區(qū)熔法，這兩種方法得到的單晶硅分別稱為CZ硅和FZ硅。

太陽能電池用單晶硅片，一般有兩種形狀，一種是圓形，另一種是方形。以圓形硅片為例，其加工工藝流程為：單晶爐取出單晶-檢查重量、量直徑和其他表觀特征-切割分段-測試-清洗-外圓研磨-檢測分檔-切片-倒角-清洗-磨片-清洗-檢驗(yàn)-測厚分類-化學(xué)腐蝕-測厚檢驗(yàn)-拋光-清洗-再拋光-清洗-電性能測-檢驗(yàn)-包裝-儲存。