雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。硅錠雜質(zhì)除會產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會導(dǎo)致切片過程中出現(xiàn)"切不動"現(xiàn)象。如未及時發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失。

隨著我們生產(chǎn)能的增加，我們對硅片回收價格也有著自己的理解和看法。如果說價格比較低的話那自然對我們的回收質(zhì)量就不能很好的保證了。但是我們在生產(chǎn)的時候也注意避免浪費的情況出現(xiàn)。有時候我們還需要對硅片進(jìn)行浸泡，這樣它的使用效果可能會比較好。另外如果說我們的作業(yè)哪里出現(xiàn)了什么問題也應(yīng)該要及時的進(jìn)行處理和維護(hù)這是不能少的，但是總體的大概結(jié)構(gòu)是不會發(fā)生改變。

太陽能電池板可以分為：

1、晶體硅電池板：多晶硅太陽能電池、單晶硅太陽能電池。

2、非晶硅電池板：薄膜太陽能電池、有機(jī)太陽能電池。

3、化學(xué)染料電池板：染料敏化太陽能電池。

硅單晶制備，需要實現(xiàn)從多晶到單晶的轉(zhuǎn)變，即原子由液相的隨機(jī)排列直接轉(zhuǎn)變?yōu)橛行蜿嚵?，由不對稱結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閷ΨQ結(jié)構(gòu)。這種轉(zhuǎn)變不是整體效應(yīng)，而是通過固液界面的移動逐漸完成的，為實現(xiàn)上述轉(zhuǎn)化過程，多晶硅就要經(jīng)過固態(tài)硅到熔融態(tài)硅，再到固態(tài)晶體硅的轉(zhuǎn)變，這就是從熔融硅中生長單晶硅所要遵循的途徑。目前應(yīng)用廣泛的有兩種，坩堝直拉法和無坩堝懸浮區(qū)熔法，這兩種方法得到的單晶硅分別稱為CZ硅和FZ硅。