劃傷線(xiàn)痕：由砂漿結(jié)塊或砂漿中的SIC大顆粒引起。切割過(guò)程中，SIC顆粒"卡"在鋼線(xiàn)與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線(xiàn)痕。SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項(xiàng)性能對(duì)于切片都有很大的影響。

表現(xiàn)形式：包括整條線(xiàn)痕和半截線(xiàn)痕，內(nèi)凹，線(xiàn)痕發(fā)亮，較其它線(xiàn)痕更加窄細(xì)。

改善方法：（1）針對(duì)大顆粒SIC（2.5~3D50），加強(qiáng)IQC檢測(cè)，使用部門(mén)對(duì)同一批次SIC先進(jìn)行試用，然后再進(jìn)行正常使用。

密布線(xiàn)痕（密集型線(xiàn)痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題，造成硅片上出現(xiàn)密集線(xiàn)痕區(qū)域。

表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線(xiàn)痕。（2）硅片出線(xiàn)口端半片面積密集線(xiàn)痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線(xiàn)痕。（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線(xiàn)痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線(xiàn)痕。

改善方法：（1）硅片整面密集線(xiàn)痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時(shí)間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對(duì)性解決。

（2）硅片出線(xiàn)口端半片面積密集線(xiàn)痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類(lèi)情況，通過(guò)改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線(xiàn)痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺(tái)內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問(wèn)題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時(shí)用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線(xiàn)痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過(guò)高。改善鑄錠工藝解決此問(wèn)題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線(xiàn)痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問(wèn)題。

單多晶硅料回收方向在哪里，新一輪的洗牌中，整個(gè)太陽(yáng)能光伏發(fā)電行業(yè)迎來(lái)了災(zāi)難性的打擊，市場(chǎng)不景氣，長(zhǎng)期處在國(guó)家補(bǔ)貼中的企業(yè)，一下子給斷奶結(jié)果可想而知，有的時(shí)候不知道政府在想什么，明明是國(guó)家大力推廣的產(chǎn)業(yè)，卻一下子給斷奶了，帶來(lái)的毀滅性的災(zāi)難，從整個(gè)上游端到下游端都受到了毀滅性的打擊，單晶硅料，多晶硅料，硅片，電池片，太陽(yáng)能光伏組件板等等價(jià)格都隨著政策的實(shí)施后急速下滑，企業(yè)處于停產(chǎn)半停產(chǎn)狀態(tài)，不敢生產(chǎn)，生產(chǎn)出來(lái)就是虧本，還不如全部放假回收呢。

太陽(yáng)能電池板的反向設(shè)計(jì)應(yīng)標(biāo)有技術(shù)參數(shù)，例如：開(kāi)路輸出電壓，短路故障電流，工作電壓等。然后，這取決于太陽(yáng)能電池板反面的承壓效果。太陽(yáng)能板。如果在加壓后有很多氣泡，皺紋和其他痕跡，則將這種顯影太陽(yáng)能電池板歸類(lèi)為不合格。