兩個相鄰允帶之間的區(qū)域稱為禁帶。能級被電子占滿的能帶稱為滿帶。能級全空著，沒有電子占據(jù)的能帶稱為空帶。被價電子占有的允帶稱為價帶。由一個禁帶隔開的兩個鄰近允帶之間的小能量差稱為能隙。通常用價電子占據(jù)的滿帶及其上面的空帶討論物質(zhì)導(dǎo)電情況。

沒有摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，其中電子和空穴的濃度是相等的。而為了控制半導(dǎo)體的性質(zhì)需要人為的在半導(dǎo)體中或多或少的摻入某種特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體，稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。當(dāng)雜質(zhì)為施主型雜質(zhì)（起施放電子作用）稱為N型半導(dǎo)體，當(dāng)雜質(zhì)為受主型雜質(zhì)（接受電子而產(chǎn)生空穴）稱為P型半導(dǎo)體。

在米粒大的硅片上，已能集成16萬個晶體管，這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個里程碑。

地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲量豐富的元素之一，對太陽能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場（mass market）的產(chǎn)品而言，儲量的優(yōu)勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

已能集成4000多萬個晶體管。這是何等精細(xì)的工程！這是多學(xué)科協(xié)同努力的結(jié)晶，是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個里程碑。

微電子技術(shù)正在悄悄走進(jìn)航空、航天、工業(yè)、農(nóng)業(yè)和國防，也正在悄悄進(jìn)入每一個家庭。小小硅片的巨大“魔力”是我們的前人根本無法想象的。