兩個(gè)相鄰允帶之間的區(qū)域稱(chēng)為禁帶。能級(jí)被電子占滿(mǎn)的能帶稱(chēng)為滿(mǎn)帶。能級(jí)全空著，沒(méi)有電子占據(jù)的能帶稱(chēng)為空帶。被價(jià)電子占有的允帶稱(chēng)為價(jià)帶。由一個(gè)禁帶隔開(kāi)的兩個(gè)鄰近允帶之間的小能量差稱(chēng)為能隙。通常用價(jià)電子占據(jù)的滿(mǎn)帶及其上面的空帶討論物質(zhì)導(dǎo)電情況。

晶體硅根據(jù)晶體取向不同又分為單晶硅和多晶硅。單晶硅和多晶硅的區(qū)別是；當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅；如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。

在米粒大的硅片上，已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管，這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。

地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲(chǔ)量豐富的元素之一，對(duì)太陽(yáng)能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場(chǎng)（mass market）的產(chǎn)品而言，儲(chǔ)量的優(yōu)勢(shì)也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

線(xiàn)鋸在切割之間需要更換切割線(xiàn)和研磨漿，維護(hù)的速度越快，總體的生產(chǎn)力就越高。

生產(chǎn)商必須平衡這些相關(guān)的因素使生產(chǎn)力達(dá)到化。更高的切割速度和更大的荷載將會(huì)加大切割切割線(xiàn)的拉力，增加切割線(xiàn)斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。由于同一硅塊上所有硅片是同時(shí)被切割的，只要有一條切割線(xiàn)斷裂，所有部分切割的硅片都不得不丟棄。 然而，使用更粗更牢固的切割線(xiàn)也并不可取，這會(huì)減少每次切割所生產(chǎn)的硅片數(shù)量，并增加硅原料的消耗量。