多晶硅料回收生產(chǎn)能力逐漸增加，原材料制造商有了更多的選擇，也會放棄一些使用價值低浪費(fèi)。但是這個過程是相對簡單的，低成本的回收材料仍然可以降 低成本，是主要的坩堝基地和半導(dǎo)體材料浪費(fèi)等等。

我們必須除了石英坩堝基地和半成品半導(dǎo)體晶片和金屬加工電路通常使用洗衣籃，籃子靜態(tài)浸泡12小時(根據(jù)酸的濃度和比例)。這種方法是簡單和節(jié)省成本。問題的表面仍在物質(zhì)和酸反應(yīng)的過程中，酸處理能力需要慢慢地釋放了很長一段時間。在這種情況下，如果加入循環(huán)泵，用于混合酸，縮短浸泡時間可以統(tǒng)一處理的效果。

如果使用超過鍋小顆粒床的傳統(tǒng)方法，打破細(xì)胞和電路的半導(dǎo)體材料浸泡很難處理或?qū)?dǎo)致更多的浪費(fèi)。因?yàn)樵谔幚淼倪^程中雜質(zhì)、酸材料中心的處理能力大大減弱，和外圍酸的強(qiáng)度不會改變，而且硅材料的損失。在這種情況下，應(yīng)該使用傾斜浸泡，利用浮力，使材料均勻性過程中酸浸過程。

金屬硅（1提純）→高純多晶硅—（2摻雜鑄造或拉晶）→多晶硅錠/錠—（3切片）→硅片—（4制絨、擴(kuò)散、印刷）→電池片—（5層壓、封裝）→電池組件—（6配套連接、安裝）→光伏發(fā)電系統(tǒng)。

其中，提純的環(huán)節(jié)是技術(shù)難度的環(huán)節(jié)。有冶金法和化學(xué)法兩種方式。

后段工序?qū)υO(shè)備要求較高

硅料包含單晶硅和多晶硅等，單晶硅有;單晶邊皮、頭尾、棒、鍋底料等，多晶硅有：原生多晶硅、多晶邊皮、多晶方錠等。

多晶硅硅料回收后的清洗方法，將多晶硅硅料置于混合酸液中進(jìn)行避光浸泡1分鐘～10分鐘，混合酸液溫度為30℃～35℃，后撈取，用純水沖洗，再經(jīng)超聲沖洗、壓縮空氣鼓泡后烘干；混合酸液為腐蝕液，配比為硝酸∶氫氟酸∶冰乙酸的溶液體積比為57∶18∶25；硝酸濃度為68％～72％，氫氟酸濃度為38％～41％，冰乙酸濃度為99.8％～99.9％；純度等級為MOS級或UP級。將多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氫氟酸液中進(jìn)行避光預(yù)浸泡，也可以先在溶解光阻的溶劑中進(jìn)行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光潔，無酸漬、水漬，其優(yōu)點(diǎn)為清洗效果好，清洗成本低，操作難度低，易于控制清洗質(zhì)量，提高了清洗收率。

對硅片行業(yè)稍微有些了解的人都應(yīng)該知道，廢硅片回收之后是必須要清洗的，而且我們還要對清洗過程給予必要的重視，不能馬馬虎虎，因?yàn)楣杵厥涨逑吹男蕦⒅苯佑绊懙狡骷某善仿?、性能和可靠性。下面我們就來了解一下費(fèi)硅片回收清洗的重要性。

現(xiàn)在人們已研制出了很多種可用于廢硅片回收清洗的工藝方法和技術(shù)，常見的有：濕法化學(xué)清 洗、超聲清洗法、兆聲清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高壓噴射法、離心噴射法、流體力學(xué)法、流體動力學(xué)法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝噴霧技 術(shù)、氣相清洗、非浸潤液體噴射法、廢硅片回收在線真空清洗技術(shù)、RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗、等離子體清洗、原位水沖洗法等。這些方法和技術(shù)現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于廢硅片回收 加工和器件制造中的廢硅片回收清洗。

表面沾污指硅表面上沉積有粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化物等的一種或幾種。超純表面定義為沒有沾污的表面, 或者是超出檢測量極限的表面。