金屬硅（1提純）→高純多晶硅—（2摻雜鑄造或拉晶）→多晶硅錠/錠—（3切片）→硅片—（4制絨、擴(kuò)散、印刷）→電池片—（5層壓、封裝）→電池組件—（6配套連接、安裝）→光伏發(fā)電系統(tǒng)。

其中，提純的環(huán)節(jié)是技術(shù)難度的環(huán)節(jié)。有冶金法和化學(xué)法兩種方式。

后段工序?qū)υO(shè)備要求較高

硅料包含單晶硅和多晶硅等，單晶硅有;單晶邊皮、頭尾、棒、鍋底料等，多晶硅有：原生多晶硅、多晶邊皮、多晶方錠等。

單晶硅的提煉：純度不高的單質(zhì)硅可用金屬鎂或鋁還原二氧化硅制得，但這是無定形硅。晶形硅則要在電弧爐內(nèi)用碳還原二氧化硅制得，它可用來生產(chǎn)硅鋼片。用作半導(dǎo)體的超純硅的制法則是先用純度不高的硅與氯化氫和氯氣的混合物作用，制取三氯氫硅，并用精餾法提純。然后在還原爐內(nèi)用純氫將三氯氫硅還原，硅就沉積在用超純硅制成的細(xì)芯上，這樣制得的超純硅稱為多晶硅，把它放在單晶爐內(nèi)，就可拉制成單晶硅，可用作半導(dǎo)體材料，它的來源豐富，價格便宜，大部分半導(dǎo)體材料都用硅

硅片回收，就是對硅片進(jìn)行回收，以便進(jìn)行硅的二次利用，從而避免其污染環(huán)境，并能夠提高硅的利用率。

硅片回收及加工過程，包括了很多步驟，但總的要求是：

(1)能夠修正一些物理性能，包括尺寸、形狀、平整度等方面；

(2)避免出現(xiàn)表面損傷，消除表面的臟污或者顆粒。

它的工序，主要有：

切片：就是將硅棒切成薄硅片，具有一定的幾何尺寸。

退火：讓硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，通過氧化爐，使其表面形成二氧化硅保護(hù)層。

倒角：硅片進(jìn)行修整，修整成圓弧形，避免產(chǎn)生缺陷，增加其平坦度。

單晶硅回收價格

1、單晶硅在我看來制法一般而言是先要制得無定形硅,接著試圖用直拉法及例如懸浮區(qū)熔法是從熔體中其生長出棒狀單晶硅。

2、熔融總之單質(zhì)硅如在凝固時硅原子與以金剛石晶格排列成不少晶核,只要一些晶核長成晶面取向相近總之晶粒,前者那些晶粒平行結(jié)合起來才結(jié)晶成單晶硅。

3、單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅幾部的的原材料,陋著歐美及國際市場對國家單晶硅兩片需求量和飛速增加,單晶硅棒的的市場需求亦呈快速增長在我看來趨勢。

4、單晶硅圓片嚴(yán)格按照故其直徑分為6英寸,8英寸,12英寸（300mm）以及18英寸（450cm）等等。