擴(kuò)散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工的硅

片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機(jī)微控方式或者程控方式操作。

擴(kuò)散爐技術(shù)指標(biāo)：

可處理硅片尺寸：2—12英寸

外型形式：臥式1—4管結(jié)構(gòu)

工作溫度：200℃—1300℃

恒溫區(qū)長度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃

單點溫度穩(wěn)定性、重復(fù)性：≤±1℃／24h

溫度斜變：可控升溫速率15℃／min

可控降溫速率：5℃／min

送片裝置：手動推拉

氣路系統(tǒng)：1—5路工藝氣體／管

氣體控制：手動浮子流量計

控制方式：程控